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Metadados

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Sitemtc-m21c.sid.inpe.br (namespace prefix: upn:3Q3U5H8)
Identificador8JMKD3MGP3W34R/3SR7UCP
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m21c/2019/02.28.16.11   (acesso restrito)
Última Atualização2019:02.28.16.11.45 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m21c/2019/02.28.16.11.45
Última Atualização dos Metadados2021:03.04.02.28.20 (UTC) administrator
DOI10.1063/1.3682838
Chave de CitaçãoRossiBarrUeda:2001:NoHiVo
TítuloNon-conventional high voltage pulsers for advanced plasma immersion ion implantation
Ano2001
Mêsmay
Data de Acesso23 set. 2026
Tipo de Trabalhoconference paper
Número de Arquivos1
Tamanho1037 KiB
2. Contextualização
Autor1 Rossi, José Osvaldo
2 Barroso de Castro, Joaquim José
3 Ueda, Mário
Grupo1 LAP-INPE-MCT-BR
2 LAP-INPE-MCT-BR
3 LAP-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
3 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
Endereço de e-Mail do Autor1 jose.rossi@inpe.br
2
3 mario.ueda@inpe.br
RevistaAIP Conference Proceedings
Volume563
Páginas96-101
Acervo Hospedeirourlib.net/www/2017/11.22.19.04 upn:3Q3U5H8
Histórico (UTC)2019-02-28 16:12:09 :: simone -> administrator :: 2001
2021-03-04 02:28:20 :: administrator -> simone :: 2001
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Tipo de Versãopublisher
ResumoThe treatment of surfaces by plasma immersion ion implantation requires pulsed power modulators to provide negative high voltage pulses. In general, the most commonly used modulators consist of either a pulse forming network (PFN) or a hard tube (HT) pulser. For high implant current above 100 A the former configuration is preferred because of the limited maximum current of the hard tube switch (generally a tetrode) used in the latter one. However, for a PFN generator operating with high voltage pulses it is necessary to use a pulse transformer, which is expensive and responsible for limiting the pulse rise time. In this paper we discuss this conventional technology available and propose a new circuit topology approach for applications with high current and voltage in excess of 100 kV (such as PIII process in polymers) which is cheaper and less complex to build. Also results of the PIII processing obtained in various materials (as silicon and stainless steel samples) using both types of conventional modulators are highlighted.
ÁreaFISPLASMA
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAP > Non-conventional high voltage...
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agreement.html 28/02/2019 13:11 1.0 KiB 
4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo Alvorossi_non.pdf
Grupo de Usuáriossimone
Visibilidadeshown
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Repositório Espelhourlib.net/www/2017/11.22.19.04.03
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ET2RFS
6. Notas
NotasLatin American Wokshop on Plasma Physics, 9., 6-7 nov. 2000, La Serna, Chile.
Campos Vaziosalternatejournal archivingpolicy archivist callnumber copyholder copyright creatorhistory descriptionlevel dissemination e-mailaddress format isbn issn keywords label lineage mark nextedition number orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readergroup resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarykey secondarymark secondarytype session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype url
7. Controle da descrição
e-Mail (login)simone
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